台积电放弃4亿美元光刻机背后 成本与技术的博弈！台积电联合首席运营官张晓强的一句话道破天机：“我非常喜欢High-NA EUV的能力，但不喜欢它的价格。”半导体行业传来一个重磅消息——全球芯片制造龙头台积电已决定放弃采购荷兰ASML公司单价高达4亿美元的高数值孔径极紫外光刻机。这款被业界誉为“史上最精密芯片制造工具”的设备，每台售价折合人民币超过28亿元，却未能打动这位最重要的潜在客户。

在迈向1.4纳米和1纳米制程的赛道上，台积电选择了一条更为艰难但成本更低的路径：通过光掩模护膜技术和多重曝光工艺，延续现有EUV设备的使用寿命。High-NA EUV光刻机堪称现代工程学的奇迹，也是目前人类能制造的最精密仪器之一。与传统EUV光刻机相比，其数值孔径从0.33提升至0.55，使得光刻分辨率从13.5纳米提高到8纳米，能实现16纳米的最小金属间距，对于制造2纳米以下制程芯片至关重要。ASML推出的首款High-NA EUV系统（EXE:5200）生产效率惊人，每小时可光刻超过185个晶圆，且公司计划进一步提升至每小时220片。然而，这些技术突破的代价是每台设备售价高达4亿美元，堪比一架波音787客机的价格。

面对天价设备，台积电选择了截然不同的技术路线。公司将在现有标准EUV光刻机上引入光掩模护膜技术，结合更复杂的多重图形化工艺。光掩模护膜是一种保护光掩模在光刻过程中免受灰尘等微粒污染的技术，对于制造更精密的芯片至关重要。张晓强在阿姆斯特丹的欧洲技术研讨会上明确表示：“只要我们看到High-NA能带来有意义、可量化的收益，我们就会采用它。以A14为例，我之前提到的性能增强在不使用High-NA的情况下已经非常显著。”

台积电选择的路径并非坦途。使用标准EUV设备生产1.4纳米和1纳米芯片，需要进行更多次曝光才能达到所需精度。多重曝光工艺会增加生产步骤，不仅可能拖慢生产节奏，还会因光掩模使用频率大幅增加而对芯片良率构成潜在风险。台积电需要通过大量的“试错”来优化生产可靠性，这场技术攻坚战的结果将直接决定其1.4纳米制程能否在2028年左右如期量产。

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